НБУ курс:

USD

41,71

+0,11

EUR

47,31

+0,23

Наличный курс:

USD

41,45

41,33

EUR

47,35

47,17

Файлы Cookie

Я разрешаю DELO.UA использовать файлы cookie.

Политика конфиденциальности

Китайские исследователи создали самую быструю флешку в мире

флешка
В Китае создали самую быструю флешку в мире / Depositphotos

Китайские исследователи из университета Фудань в Шанхае разработали флеш-память с рекордной скоростью записи в 25 миллиардов операций в секунду. Новое устройство способно работать в миллион раз быстрее, чем привычные USB-накопители.

 

Об этом пишет China Daily.

Новое устройство PoX установило абсолютный рекорд скорости записи, которая составляет 400 пикосекунд (0,4 нс) на бит данных. Для сравнения:

  • классическая оперативная память (SRAM/DRAM): производит запись данных со скоростью от 1 до 10 наносекунд 1-10, но данные теряются при отключении питания;
  • обычные флэш-накопители: не нуждаются в источнике питания для хранения данных, но слишком медленные для современных AI-систем.

Уникальность PoX заключается в сочетании большой скорости (в 25 раз быстрее DRAM) с энергонезависимостью флэш-памяти. Это делает его идеальным решением для:

  • AI-ускорителей, обрабатывающих терабайты данных в реальном времени;
  • высокопроизводительных вычислительных систем;
  • устройств, где критически важны как скорость, так и надежность хранения

Как отмечает руководитель исследовательской группы Чжоу Пен, предыдущий мировой рекорд для подобных технологий составлял лишь 2 миллиона операций за тот же промежуток времени. Этот прорыв имеет особое значение для развития искусственного интеллекта.

Секрет успеха кроется в инновационном подходе, примененном китайскими учеными. Они использовали уникальные свойства двумерных материалов, что позволило реализовать так называемую "суперинъекцию" заряда — явление, не имеющее теоретического ограничения скорости. Участник исследовательской группы указывает, что традиционные методы инъекции заряда имеют четкие ограничения скорости, в то время как их подход позволяет достигнуть теоретического максимума.

Важным преимуществом нового устройства является его энергоэффективность. В отличие от современных типов оперативной памяти, теряющих данные при отключении питания, разработка китайских ученых сохраняет информацию даже без электроснабжения, потребляя при этом минимум энергии.

Результаты этого исследования уже опубликованы в авторитетном научном журнале Nature. Специалисты полагают, что эта разработка может привести к кардинальным изменениям в полупроводниковой отрасли и создать новые стандарты для вычислительных технологий будущего, особенно в контексте стремительного развития искусственного интеллекта.

Напомним, украинский предприниматель создал технологии, которые могут изменить правила игры в борьбе с пожарами .