- Категорія
- Новини
- Дата публікації
- Змінити мову
- Читать на русском
Китайські дослідники створили найшвидшу флешку у світі
Китайські дослідники з університету Фудань у Шанхаї розробили флеш-пам'ять з рекордною швидкістю запису у 25 мільярдів операцій за секунду. Новий пристрій здатний працювати в мільйон разів швидше, ніж звичні USB-накопичувачі.
Про це пише China Daily.
Новий пристрій PoX встановив абсолютний рекорд швидкості запису, яка становить 400 пікосекунд (0,4 нс) на біт даних. Для порівняння:
- класична оперативна пам'ять (SRAM/DRAM): проводить запис даних зі швидкістю від 1 до 10 наносекунд 1-10, але дані втрачаються при відключенні живлення;
- звичайні флеш-накопичувачі: не потребують джерела живлення для зберігання даних, але занадто повільні для сучасних AI-систем.
Унікальність PoX полягає в поєднанні великої швидкості (у 25 разів швидше за DRAM) з енергонезалежністю флеш-пам'яті. Це робить його ідеальним рішенням для:
- AI-прискорювачів, що обробляють терабайти даних у реальному часі;
- високопродуктивних обчислювальних систем;
- пристроїв, де критично важливі як швидкість, так і надійність зберігання
Як зазначає керівник дослідницької групи Чжоу Пен, попередній світовий рекорд для подібних технологій становив лише 2 мільйони операцій за той самий проміжок часу. Цей прорив має особливе значення для розвитку штучного інтелекту. Надзвичайно висока швидкість запису даних відкриває нові можливості для роботи складних AI-моделей, які вимагають миттєвої обробки величезних масивів інформації.
Секрет успіху криється в інноваційному підході, який застосували китайські вчені. Вони використали унікальні властивості двовимірних матеріалів, що дозволило реалізувати так звану "суперін'єкцію" заряду — явище, яке не має теоретичного обмеження швидкості. Учасник дослідницької групи вказує, що традиційні методи ін'єкції заряду мають чіткі обмеження швидкості, тоді як їхній підхід дозволяє досягти теоретичного максимуму.
Важливою перевагою нового пристрою є також його енергоефективність. На відміну від сучасних типів оперативної пам'яті, які втрачають дані при відключенні живлення, розробка китайських вчених зберігає інформацію навіть без електропостачання, споживаючи при цьому мінімум енергії.
Результати цього дослідження вже опубліковані в авторитетному науковому журналі Nature. Фахівці вважають, що ця розробка може привести до кардинальних змін у напівпровідниковій галузі та створити нові стандарти для обчислювальних технологій майбутнього, особливо в контексті стрімкого розвитку штучного інтелекту.
Нагадаємо, український підприємець створив технології, що можуть змінити правила гри в боротьбі з пожежами.